硅光電探測器特性分析
更新時間：2015-08-05瀏覽：2863次
隨著人類對新能源新技術的不斷開發和利用，對光能的研究也進入了一個新的階段。20世紀30年代時，人們對光的探測與研究用的都是光電倍增真空管(PMT)，它昂貴，真空管內部機械結構部分制造復雜，體積大而且對電磁干擾非常敏感。人們開始尋求新的替代品來對光進行研究。在半導體行業飛速發展后，光敏半導體探測設備，像PIN光電二管，雪崩二管，以及90年代出現的硅光電倍增管，得到了迅速的發展，并在很多領域已經取代了PMT，相信在將來這些半導體探測器將被更廣泛的應用。
硅光電倍增管被認為是 有潛力的一個。因為它有非常高的增益，基本不用太復雜的外接放大電路。它的加工制造也只是用的標準的CMOS工藝，因此經濟又有效。硅光電倍增管除了在輻射測量領域的發展，隨著現代醫學的發展，它也在核醫學領域受到了人們的廣泛關注，如正電子發射計算機斷層掃描裝置(Positron Emission Tomography簡稱PET)。PET是目前惟一可在活體上顯示生物分子代謝、受體及神經介質活動的新型影像技術，但它缺乏對各斷層面之間的掃描。核磁共振成像(Magnet Resonance Imaging簡稱MRI)正好可以滿足這一要求。磁共振成像是一種生物磁自旋成像技術，它可以直接作出各種體層圖像，不會產生CT檢測中的偽影，無電離輻射，對機體沒有不良影響。如果能把PET和MRI結合起來將會對醫學研究和發展起到深遠意義。但是一直以來PET所使用的光探測器是PMT，PMT并不能在強磁場中工作，也就限制了MRI的發展，但硅光電倍增管正好解決了這個問題。使得PET和MRI的結合成為可能。
